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TI超低功耗FRAM微控制器
2011-05-05
德州儀器推出業(yè)界首款超低功耗鐵電隨機存取存儲器(FRAM)16位微控制器，MSP430FR57xx FRAM 微控制器系列可為開發(fā)人員帶來高達100倍的寫入速度增幅及250倍的功耗降幅，因而可從全新的地點獲得更多的有用數(shù)據(jù)從而宣告可靠數(shù)據(jù)錄入和射頻(RF)通信能力進入了一個新時代。新型 MSP430FR57xx FRAM 系列的面市進一步彰顯了 TI 在嵌入式處理技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，與基于閃存和 EEPROM 的微控制器相比，該 FRAM 系列可確保100倍以上的數(shù)據(jù)寫入速度和250倍的功耗降幅。此外，這種片上 FRAM 還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次的寫入次數(shù)、并為開發(fā)人員提供了一個全新的靈活度（允許其通過軟件變更來完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū)）。FR57xx 系列突破了現(xiàn)有的存儲器功耗及可寫入次數(shù)限制，使得開發(fā)人員能夠憑借功能更多、連續(xù)工作時間更長的新產(chǎn)品所擁有的更高性價比的數(shù)據(jù)錄入、遠程感測和無線升級能力讓世界變得更加智能。MSP430FR57xx FRAM微控制器的主要特性及優(yōu)勢當(dāng)從 FRAM 中執(zhí)行代碼時，可將目前業(yè)界最佳功耗水平降低50%之多 -- 工作流耗為100μA/MHz （主動模式）和3μA（實時時鐘模式）超過100萬億次的可寫入次數(shù)能支持連續(xù)數(shù)據(jù)錄入，從而無需采用昂貴的外部 EEPROM 及依賴電池供電的 SRAM統(tǒng)一存儲器允許開發(fā)人員利用軟件來輕松改變程序、數(shù)據(jù)以及緩存之間的內(nèi)存分配，從而簡化了目錄管理并降低了系統(tǒng)成本所有電源模式中的數(shù)據(jù)寫入及數(shù)據(jù)保存保障可確保代碼安全性，以簡化開發(fā)流程、降低存儲器測試成本及提升終端產(chǎn)品可靠性實現(xiàn)了可靠的遠程軟件升級 -- 特別是可以實現(xiàn)空中升級 -- 旨在為設(shè)備制造商提供更廉價、更便捷的軟件升級途徑密度高達16kB 的集成型 FRAM 以及模擬和連接外設(shè)選項，包括10位 ADC、32位硬件乘法器、多達5個16位定時器和乘法增強型 SPI/I2C/UART 總線所有 MSP 平臺上的代碼兼容性以及低成本、易用型工具、綜合全面的文檔資料、用戶指南和代碼示例可方便開發(fā)人員立即啟動開發(fā)工作眾多由 TI 提供的兼容型射頻(RF)工具可簡化系統(tǒng)開發(fā)工作可實現(xiàn)無電池的智能型 RF 連接解決方案FR57xx MCU 基于 TI 先進的低功耗、130nm 嵌入式 FRAM 工藝.
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