半導體照明科技發(fā)展“十二五”專項規(guī)劃解讀
2012-07-16
為加快推進半導體照明技術(shù)進步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，支撐半導體照明戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展，科技部在前期調(diào)研的基礎(chǔ)上，經(jīng)充分研討和論證，研究制定了《半導體照明科技發(fā)展“十二五”專項規(guī)劃》(以下簡稱《專項規(guī)劃》)并廣泛征求意見。
日前，《專項規(guī)劃》全文公布(詳見科技部網(wǎng)站和中國科技網(wǎng))。該規(guī)劃制定的背景是什么?我國半導體“十二五”發(fā)展總體目標和原則是什么?我國將在哪些半導體照明技術(shù)和應用領(lǐng)域重點布局?取得哪些關(guān)鍵性突破?如何保障專項規(guī)劃落到實處?為此，科技部高新司負責人接受科技日報記者專訪，就相關(guān)情況答記者問。
問：國際半導體照明技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢是什么?
答：近年來，半導體照明技術(shù)快速發(fā)展，正向更高光效、更低成本、更可靠、更多元化領(lǐng)域和更廣泛應用方向發(fā)展。雖然半導體照明技術(shù)創(chuàng)新速度遠遠超過預期，但與理論光效相比仍有巨大的創(chuàng)新空間。半導體照明技術(shù)的競爭焦點主要集中在GaN基LED外延材料與芯片、高效高亮度大功率LED器件、LED功能性照明產(chǎn)品、OLED照明、半導體照明創(chuàng)新應用以及MOCVD(金屬有機物化學氣相沉積設備)等重大裝備開發(fā)等方面。
在產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，半導體照明產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長，競爭整合速度加劇。半導體照明被認為是21世紀最具發(fā)展?jié)摿Φ膽?zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。近年來，世界各國政府均安排了專項資金，設立專項計劃，制定了嚴格的白熾燈淘汰計劃，大力扶持本國半導體照明技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
問：我國半導體照明的發(fā)展需求和現(xiàn)有水平如何?
答：隨著人們對更高照明品質(zhì)的追求，半導體照明應用市場的快速發(fā)展，以及城市化進程對節(jié)能減排的壓力日益增大，迫切需要開展LED光源及照明產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)研發(fā);與此同時，半導體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展也有利于推動新型顯示、數(shù)字家電、汽車、裝備等國民經(jīng)濟支柱產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級。此外，半導體照明產(chǎn)業(yè)的技術(shù)、勞動雙密集型特征，可以創(chuàng)造更多的就業(yè)崗位。
在國家科技計劃研發(fā)投入的持續(xù)支持和市場需求的帶動下，我國半導體照明技術(shù)創(chuàng)新能力得到了迅速提升，國產(chǎn)功率型白光LED器件光效超過120lm/W，接近國際先進水平。具有核心自主知識產(chǎn)權(quán)的Si襯底功率型LED器件已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，光效超過100lm/W;指示、顯示和中大尺寸背光源產(chǎn)業(yè)初具規(guī)模，功能性照明節(jié)能效果已經(jīng)顯現(xiàn)?，F(xiàn)已制定并公布了22項國家標準和行業(yè)標準。
問：我國半導體照明產(chǎn)業(yè)與國際水平還有哪些方面的差距?專項規(guī)劃的實施有什么意義?
答：我國半導體照明產(chǎn)業(yè)與國際先進水平的差距主要體現(xiàn)在：MOCVD等核心設備及部分原材料仍然依賴進口;外延芯片缺乏核心專利;測試方法及設備支撐不足;相關(guān)專利及技術(shù)規(guī)范研究和布局落后于產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
在搶占產(chǎn)業(yè)制高點的關(guān)鍵時期，制定半導體照明專項規(guī)劃，有助于進一步明確未來五年我國技術(shù)突破的重點方向，從而集中資源解決產(chǎn)業(yè)發(fā)展技術(shù)瓶頸，逐步縮小產(chǎn)業(yè)鏈上游技術(shù)創(chuàng)新與國際水平差距，通過系統(tǒng)集成創(chuàng)新在下游照明應用實現(xiàn)跨越式發(fā)展。
問：我國半導體“十二五”發(fā)展總體目標和原則是什么?
答：《半導體照明科技發(fā)展“十二五”專項規(guī)劃》的總體目標是：到2015年，實現(xiàn)從基礎(chǔ)研究、前沿技術(shù)、應用技術(shù)到示范應用全創(chuàng)新鏈的重點技術(shù)突破，關(guān)鍵生產(chǎn)設備、重要原材料實現(xiàn)國產(chǎn)化;重點開發(fā)新型健康環(huán)保的半導體照明標準化、規(guī)格化產(chǎn)品，實現(xiàn)大規(guī)模的示范應用;建立具有國際先進水平的公共研發(fā)、檢測和服務平臺;建成一批試點示范城市和特色產(chǎn)業(yè)化基地，培育一批擁有知名品牌的龍頭企業(yè)，形成具有國際競爭力的半導體照明戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。
專項規(guī)劃實施的基本原則是：堅持統(tǒng)籌規(guī)劃與市場機制相結(jié)合;堅持系統(tǒng)布局與重點突破相結(jié)合;堅持平臺建設與人才培養(yǎng)相結(jié)合;堅持立足國內(nèi)與面向國際相結(jié)合。
問：為了實現(xiàn)上述目標，我國將在哪些半導體照明技術(shù)和應用領(lǐng)域重點布局?取得哪些關(guān)鍵性突破?
答：專項規(guī)劃對半導體照明全創(chuàng)新鏈進行全面部署，在前沿技術(shù)方面，重點布局大尺寸Si襯底等白光LED制備技術(shù)，單芯片白光、UV-LED、OLED等新型白光照明技術(shù)，高光效、高可靠、低成本的核心器件產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，核心裝備和關(guān)鍵配套原材料國產(chǎn)化等內(nèi)容;在應用技術(shù)研究方面，重點布局低成本、替代型和多功能創(chuàng)新型半導體照明產(chǎn)品及系統(tǒng)開發(fā)，半導體照明創(chuàng)新應用產(chǎn)品開發(fā)及示范等內(nèi)容;建設創(chuàng)新機制體制的開放的、國際化的公共研發(fā)平臺;通過示范應用，推動“十城萬盞”試點工作順利實施。
在2015年，產(chǎn)業(yè)化白光LED器件光效達到國際同期先進水平(150-200 lm/W)，硅基半導體照明、創(chuàng)新應用、智能化照明系統(tǒng)開發(fā)等達到世界領(lǐng)先水平;產(chǎn)業(yè)規(guī)模達到5000億元。建成50個“十城萬盞”試點示范城市;建立國際化、開放性的國家公共技術(shù)研發(fā)平臺。
問：我國“十城萬盞”試點工作實施取得了一些成效，總結(jié)了哪些經(jīng)驗，還存在什么問題?
答：“十城萬盞”試點工作的實施，促進科技投入的不斷加大，顯著加快了技術(shù)進步速度，推進了市場機制和商業(yè)模式的形成，促進了市場的培育和節(jié)能減排，并顯著提升了LED產(chǎn)業(yè)的社會認知度。據(jù)統(tǒng)計，各“十城萬盞”試點城市已實施的示范工程超過2000項，應用超過420萬盞，年節(jié)電超過4億度。
“十城萬盞”試點工作雖然取得了顯著成績，但相關(guān)措施和協(xié)調(diào)機制需要進一步健全，標準工作需要進一步加強，EMC等商業(yè)模式及其推廣環(huán)境仍需要進一步完善。
問：“十二五”期間，我國在推動半導體照明產(chǎn)業(yè)化示范方面有何舉措?
答：“十二五”期間，在推動半導體照明產(chǎn)業(yè)化示范方面，將繼續(xù)加強國家層面的科學規(guī)劃和統(tǒng)籌協(xié)調(diào)，加強國家科技計劃在技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品創(chuàng)新應用方面的支撐力度。同時，加強質(zhì)量保障體系建設和工程評估評價，加強服務體系建設，營造良好的發(fā)展環(huán)境。
問：“十二五”期間，如何通過機制創(chuàng)新和政策措施保障專項規(guī)劃落到實處?
答：“十二五”期間，為貫徹落實專項規(guī)劃確定的各項任務，應通過政策引導與相關(guān)措施，進一步加大研發(fā)投入，培育龍頭品牌企業(yè);創(chuàng)新聯(lián)合創(chuàng)新的體制機制，建立國家公共技術(shù)研發(fā)平臺;統(tǒng)籌標準檢測認證工作，從國家層面加快完善標準檢測認證體系;加強國際交流與合作，支持國際半導體照明聯(lián)盟建設;重視創(chuàng)新人才和團隊的培養(yǎng)。
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