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ZMD公司的nvSRAM有兩種操作模式，SRAM模式與非易失性模式，
2013-04-07
ZMD公司的nvSRAM有兩種操作模式，SRAM模式與非易失性模式，
在SRAM模式中，存儲(chǔ)器可以像普通的靜態(tài)RAM一樣操作，SRAM可以讀寫無(wú)限次，且讀寫訪問(wèn)時(shí)間小于25ns，所有的nvSRAM都是以字節(jié)方式組織的。
在非易失性模式中，數(shù)據(jù)從SRAM中保存進(jìn)EEPROM中（STORE操作），或者從EEPROM回讀至SRAM中（RECALL操作）。STORE和RECALL可能會(huì)按下面的方式開(kāi)始：
1、在系統(tǒng)上電或者下電時(shí)，自動(dòng)開(kāi)始STORE或者RECALL操作。萬(wàn)用表
2、通過(guò)軟件序列或者硬件信號(hào)，由用戶控制開(kāi)始STORE或者RECALL操作。
一旦STORE和RECALL周期開(kāi)始后，SRAM的進(jìn)一步輸入輸出便被禁止，直至周期結(jié)束，片上的STORE和RECALL控制單元控制數(shù)據(jù)在SRAM與EEPROM之間轉(zhuǎn)移
在任何時(shí)間，幾毫秒之內(nèi)SRAM中的數(shù)據(jù)就可以被存儲(chǔ)于EEPROM中，數(shù)據(jù)可以寫進(jìn)EEPROM中至少10萬(wàn)次，從EEPROM中讀出數(shù)據(jù)至SRAM中的次數(shù)是沒(méi)有限制的，nvSRAM保證數(shù)據(jù)從上一次保存周期結(jié)束后可以至少保存45年以上，它保證在芯片調(diào)換時(shí)或者未來(lái)電壓突然中斷時(shí)，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。
目前ZMD公司的nvSRAM根據(jù)數(shù)據(jù)保存方式不同有四種類型，分別是HardStore，SoftStore，PowerStore，CapStore，每種不同的存儲(chǔ)方式對(duì)應(yīng)著不同的產(chǎn)品型號(hào)，以下對(duì)這幾種方式做一個(gè)詳細(xì)的說(shuō)明與解釋。
HardStore nvSRAM
控制管腳上的信號(hào)控制nvSRAM中的數(shù)據(jù)從SRAM保存進(jìn)EEPROM上（STORE），或者從EEPROM回讀至SRAM中（RECALL）。
SoftStore nvSRAM
一個(gè)預(yù)定義的六個(gè)連續(xù)的SRAM讀操作控制nvSRAM中的數(shù)據(jù)從SRAM保存至EEPROM中（STORE），或者從EEPROM回讀至SRAM中（RECALL）。
PowerStore nvSRAM
數(shù)據(jù)從SRAM保存至EEPROM中，是在內(nèi)部的電壓傳感器控制下自動(dòng)執(zhí)行的，當(dāng)傳感器檢測(cè)到操作電壓跌落低于一個(gè)最小值的時(shí)候，會(huì)自動(dòng)啟動(dòng)保存操作，保存數(shù)據(jù)的能量是由外部的一個(gè)聯(lián)接至電容能量管腳的電容提供，或者由系統(tǒng)固有容性提供能量。
CapStore nvSRAM
數(shù)據(jù)從SRAM轉(zhuǎn)移至EEPROM中是在電壓檢測(cè)器的控制下自動(dòng)執(zhí)行的，當(dāng)電壓檢測(cè)器檢測(cè)到操作電壓跌落低于一個(gè)最小值時(shí)，自動(dòng)啟動(dòng)保存操作，保存數(shù)據(jù)的能量由一個(gè)內(nèi)部的電容提供。
所有類型的nvSRAM在系統(tǒng)上電時(shí)自動(dòng)執(zhí)行回讀操作（RECALL）。
PowerStore和CapStore可以提供硬件或者軟件的保存（STORE）或者回讀（RECALL）操作，除了在系統(tǒng)下電或者掉電時(shí)轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)是自動(dòng)執(zhí)行的。
nvSRAM的典型應(yīng)用包括工業(yè)控制和汽車電子，同時(shí)也包括醫(yī)療及測(cè)量系統(tǒng)。在極端環(huán)境下，如果數(shù)據(jù)的可靠性存儲(chǔ)需要得到保證，那么nvSRAM將是一種完美的解決方案。
在各種數(shù)字設(shè)備中，nvSRAM可以用于保存各種緊急數(shù)據(jù)。在小型化的應(yīng)用中，可以將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器與程序存儲(chǔ)器集中在一片nvSRAM中，以此來(lái)減少電路板上IC的數(shù)目，提高了系統(tǒng)的靈活性及性能。具有快速訪問(wèn)特性的nvSRAM是測(cè)量及醫(yī)療應(yīng)用中的理想的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案，測(cè)量的數(shù)據(jù)可以保存在SRAM中，然后在系統(tǒng)正常下電或者系統(tǒng)突然掉電時(shí)，將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移進(jìn)EEPROM中。
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