國家重點實驗室-半導體領域儀器配置清單
2020-10-30
半導體領域國家重點實驗室有哪些?
半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室
為培育戰(zhàn)略性新興產業(yè)，整合業(yè)內技術、人才、信息等資源，實現(xiàn)投入少、回報高、見效快的技術創(chuàng)新模式，提升我國半導體照明產業(yè)自主創(chuàng)新能力和速度，在科技部、財政部等六部門聯(lián)合發(fā)布的《關于推動產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟構建的指導意見》指導下，根據科技部要求試點聯(lián)盟積極探索整合資源，構建產業(yè)技術創(chuàng)新平臺的精神，在基礎司和政策法規(guī)司的共同推動下，于2012年1月正式批復依托半導體照明產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟建設半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室。
這是我國第一個依托聯(lián)盟建立的國家重點實驗室，是一個體制機制完全創(chuàng)新的公共研發(fā)平臺，始終堅持以產業(yè)價值為核心價值的理念，以產業(yè)技術創(chuàng)新需求為基礎，以完善技術創(chuàng)新鏈為目標，企業(yè)以項目資金投入，科研機構、大學和其他社會組織以研發(fā)人員和設備的使用權投入，充分利用和整合現(xiàn)有資源，探索形成多種形式的政產學研用協(xié)同創(chuàng)新模式，推動建立基礎研究、應用研究、成果轉化和產業(yè)化、先進技術標準研制緊密結合、協(xié)調發(fā)展機制探索持續(xù)性投入機制，逐步形成可持續(xù)發(fā)展的開放的、國際化的非營利研究實體，成為半導體照明的技術創(chuàng)新中心、人才培養(yǎng)中心、標準研制中心和產業(yè)化輻射中心。2013年1月實驗室在荷蘭設立其海外研發(fā)實體機構—“半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室代爾夫特研究中心”，成為中國首個在海外建立分中心的國家重點實驗室。
半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室儀器配置 |
| 五分類血液分析儀 |
| 制備液相 |
| 全自動生化分析儀 |
| 激光共聚焦顯微鏡 |
| 液相色譜/三重串聯(lián)四極桿質譜聯(lián)用系統(tǒng) |
| 分析液相 |
| 色譜儀 |
| LED照明燈具全部光通量在線加速測試設備 |
| 部分光通量加速壽命在線測試評估系統(tǒng) |
| 高溫試驗箱 |
| LFC(LightFluxColor)光度色度測試系統(tǒng) |
| 半導體分立器件測試儀 |
| 微波式打膠機 |
| 化學清洗工作臺 |
| 感應耦合等離子刻蝕機ICP |
| 電子束蒸發(fā)臺(金屬) |
| 電子束蒸發(fā)臺(ITO) |
| 電鍍臺 |
| 快速合金爐 |
| 石墨烯生長系統(tǒng) |
| 臺階儀 |
| 激光晶圓劃片設備 |
| 裂片機 |
| 激光剝離機 |
| 鍵合機 |
| 水平減薄機 |
| 單面研磨機 |
| 數控點膠機 |
| 噴射式點膠機 |
| 光學鍍膜系統(tǒng) |
| 超聲波金絲球壓焊機 |
| LED全光功率測試系統(tǒng) |
| LED自動分選機 |
| 熱特性測試設備 |
| 半導體參數測試儀 |
| 低溫強磁場物性測試系統(tǒng)(EMMS) |
| LED光電綜合測試系統(tǒng) |
| LED抗靜電測試儀 |
| 激光納米粒度及Zeta電位測試儀 |
| LED照明產品光電熱綜合測試 |
| 高頻小信號測試系統(tǒng) |
| 紫外LED光譜功率測試系統(tǒng) |
| 手動共晶焊貼片機 |
| 熒光光譜儀(PI) |
| 高速自動固晶機 |
| 自動擴膜機 |
| 全自動晶圓植球機 |
| 倒裝機 |
| 高精度快速光譜輻射計 |
| 近紫外-可見-紅外光譜測試系統(tǒng) |
| 熱電性能分析儀 |
| 氫化物氣相外延 |
| 熒光光譜儀(PL) |
| X射線衍射儀(XRD) |
| 掃描電子顯微鏡(SEM) |
| 手動共晶焊貼片機(UDB-141) |
| 激光晶圓劃片設備 |
| 電子束蒸發(fā)臺(金屬) |
| 等離子體增強化學氣相沉積PECVD |
| 光刻機 |
| MOCVD |
| 數據定時脈沖發(fā)生器 |
| 頻譜分析儀 |
| 光源光色電綜合測試系統(tǒng) |
| 超聲波掃描顯微鏡 |
| 漏電流測試儀 |
| 智能數字式燈頭扭矩儀 |
| 邏輯分析儀 |
半導體超晶格國家重點實驗室
半導體超晶格國家重點實驗室于1988年3月由國家計委組織專家論證并批準后開始籌建，1990年開始對外開放，1991年11月通過了由國家計委組織的驗收委員會驗收。現(xiàn)任實驗室主任為王開友研究員。實驗室學術委員會主任為高鴻鈞院士。
實驗室以研究和探索半導體體系中的新現(xiàn)象和新效應為主要目標，通過對固體半導體中的電子、自旋和光子的調控，探索其在電子/自旋量子信息技術、光電子及光子器件中的潛在應用，從最基礎的層面上提升我國電子、光電子、光子信息技術的創(chuàng)新能力，提升我國在半導體研究領域的國際競爭力。實驗室先后有5位成長為中國科學院院士、12位成長為國家杰出青年基金獲得者。為我國半導體科學技術的跨躍式發(fā)展做出重要貢獻。
實驗室現(xiàn)有人員中包括研究員26人、高級工程師1人和管理人員1人，其中4位中國科學院院士、9位國家杰出青年基金獲得者、3位優(yōu)秀青年科學基金獲得者、1位北京杰出青年基金獲得者。
自成立以來，實驗室承擔了近百個科技部、基金委和科學院的重大和重點項目，取得了可喜的科研成果，獲得國家自然科學獎二等獎5項;黃昆先生獲得2001年度國家最高科學技術獎。2004年半導體超晶格國家重點實驗室被授予國家重點實驗室計劃先進集體稱號。實驗室具有良好的科研氛圍、科研設備和環(huán)境條件，擁有雄厚的科研積累和奮發(fā)向上的科研團隊，并多次獲得國家自然基金委員會的創(chuàng)新研究群體科學基金。
實驗室每年可接收40名碩士、博士研究生和博士后?，F(xiàn)有研究生和博士后100余人。
*半導體超晶格國家重點實驗室儀器配置情況未公布
高功率半導體激光國家級重點實驗室
高功率半導體激光國家重點實驗室成立于1997年，由原國防科工委和原兵器工業(yè)總公司投資建設，經過二十年的發(fā)展建設，實驗室已經成為我國光電子領域的重要研究基地和人才培養(yǎng)基地之一?，F(xiàn)有科研、辦公面積3800平方米，超凈實驗室面積為1500平方米;生產開發(fā)平臺面積為600平方米，其中超凈實驗室面積為200平方米。
現(xiàn)有博士學位授權一級學科2個、碩士學位授權一級學科2個、國防特色學科1個、博士后科研流動站1個。實驗室有研究人員36人，其中雙聘院士1人、教授9人、副教授10人，博士生導師10人，科技部重點研發(fā)計劃總體專家1人，國家獎評審專家1人，國防科學技術獎評審專家1人，吉林省長白山學者1人。實驗室現(xiàn)有MBE、MOCVD等先進的半導體材料外延生長設備，SEM、XRD、PL等完善的材料分析檢測手段，電子束蒸發(fā)、磁控濺射、芯片解理、貼片、激光焊接、平行封焊、綜合測試等工藝設備，設備資產1.2億元，為光電子領域的相關研究提供了一流的條件支撐。
在半導體激光研究方向上，高功率半導體激光國家重點實驗室代表著國家水平，研制的半導體激光器單管輸出功率大于10瓦、光纖耦合模塊大于100瓦、以及高頻調制、脈沖輸出等半導體激光器組件，技術處于國內領先水平;在基礎研究領域，深入開展了GaSb材料的外延生長理論及技術研究，研究成果達到國際先進水平;在半導體激光應用基礎技術研究領域，堅持以滿足武器裝備應用為目標，研制的駕束制導半導體激光發(fā)射器成功用于我軍現(xiàn)役主戰(zhàn)坦克武器系統(tǒng)，實現(xiàn)了駕束制導領域跨越式發(fā)展;研制的激光敏感器組件已經用于空軍某型號末敏子彈藥中，并將在多個武器平臺上推廣應用。近年來，實驗室在國內外重要學術刊物上發(fā)表論文600余篇，出版專著7部，獲國家、省部級獎勵40余項，申請發(fā)明專利50余項，鑒定成果40余項，對我國的國防武器裝備發(fā)展作出了重要貢獻。
高功率半導體激光國家級重點實驗室儀器配置 |
| 感應耦合等離子體刻蝕 |
| 掃描電子顯微鏡 |
| 光刻機 |
| 磁控濺射鍍膜機 |
| 等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng) |
| X射線雙晶衍射儀 |
| 光刻機 |
| 快速圖譜儀 |
| 電化學C-V分布測試儀,PN4300,英國伯樂 |
| 光熒光譜儀 |
| 特種光纖熔接機 |
| 丹頓電子束鍍膜機 |
| SVT超高真空解理機 |
| 光譜分析儀 |
| 萊寶電子束鍍膜機 |
| 半導體激光器芯片貼片機 |
| 金屬有機化合物化學氣相沉淀（MOCVD） |
| 磁控濺射臺 |
電子薄膜與集成器件國家重點實驗室
電子薄膜與集成器件國家重點實驗室是以教育部新型傳感器重點實驗室、信息產業(yè)部電子信息材料重點實驗室和功率半導體技術重點實驗室為基礎于2006年7月建立的。
目前，實驗室緊密圍繞國家IT領域的戰(zhàn)略目標，立足于電子信息材料與器件的發(fā)展前沿，堅持需求與發(fā)展并舉、理論與實踐并重，致力于新型電子薄膜材料與集成電子器件的研究和開發(fā)，促進材料—器件—微電子技術的交叉和集成。
實驗室現(xiàn)有研究人員80人，管理人員6人，技術人員3人;客座研究人員18人。在固定研究人員中已形成以陳星弼院士為帶頭人的一支以45歲左右為核心、35歲左右為主力的骨干研究隊伍。隊伍中包括了中國科學院院士1人，中國工程院院士1人，國家自然基金委創(chuàng)新團隊2個，國防科技創(chuàng)新團隊1人，教育部創(chuàng)新團隊2人，博導58人。實驗室擁有1個國家重點學科、5個博士點以及5個碩士點，已具備每年250名左右碩士生、40名左右博士生、20名左右博士后的人才培養(yǎng)規(guī)模。
實驗室覆蓋了微電子學與固體電子學、電子材料與元器件、材料科學與工程、材料物理化學、材料學5個博士點學科，擁有電子科學與技術、材料科學與工程2個博士后流動站，其中微電子學與固體電子學為國家重點學科。實驗室面積近4000 m2，擁有儀器設備500余套，價值8000余萬人民幣。已初步建成具有國際水平的“材料與器件制造工藝平臺”、“微細加工平臺”、“電磁性能測試與微結構表征平臺”和“集成電路設計平臺”，具備承擔國家重大基礎研究項目的能力。
近5年，實驗室科研工作碩果累累。目前，實驗室共承擔包括國家自然基金、973、863等各類項目在內的民口縱向項目和校企合作項目等科技項目共約200余項，總經費達2億元，其中，2009年的科研經費超過7000萬元?？蒲谐晒@國家級獎勵7項，省部級獎24項，市級獎5項，申請發(fā)明專利150余項，獲得包括美國發(fā)明專利在內的專利授權40余項，發(fā)表學術論文1000余篇，出版學術專著和教材7部。取得了包括“新耐壓層與全兼容功率器件”等一系列標志性成果。實驗室堅持面向社會，服務社會，致力于科研成果的推廣和應用，“半導體陶瓷電容器”、“功率鐵氧體及寬頻雙性復合材料”、“集成電路系列產品”等科研成果的成功轉化，企業(yè)取得4億多元的直接經濟效益及良好的社會效益。
*電子薄膜與集成器件國家重點實驗室儀器配置情況未公布
專用集成電路與系統(tǒng)國家重點實驗室
專用集成電路與系統(tǒng)國家重點實驗室(復旦大學)于1989年經國家計委批準建設，1995年9月正式通過國家驗收。實驗室依托復旦大學國家重點一級學科“電子科學與技術”，以及“微電子學與固體電子學”與“電路與系統(tǒng)”兩個國家重點二級學科。
實驗室面向集成電路國際主流的學術前沿問題和國家集成電路產業(yè)發(fā)展的重大需求，聚焦高能效系統(tǒng)芯片及其核心IP設計，開展數字、射頻與數模混合信號集成電路設計創(chuàng)新研究，同時進行新器件新工藝和納米尺度集成電路設計方法學的研究。形成國際領先并滿足國家戰(zhàn)略需求的標志性創(chuàng)新成果，使實驗室成為我國在集成電路設計方向上科學研究、技術創(chuàng)新與高層次人才培養(yǎng)具有國際重要影響力的基地，為我國集成電路產業(yè)尤其是集成電路設計產業(yè)的跨越式發(fā)展做出重大貢獻。
瞄準國際集成電路發(fā)展前沿，面向國家重大需求，面向國民經濟主戰(zhàn)場，緊緊圍繞主要研究方向，實驗室承擔了大量國家863計劃、973計劃、國家科技重大專項、國家自然科學基金、國防預研項目、省部級項目以及各類國際合作項目，在國際重要刊物和國際會議上發(fā)表大量高質量學術論文，獲得多項授權發(fā)明專利，榮獲多項國家級二等獎、省部級一等獎、二等獎等獎項。
實驗室現(xiàn)有固定人員68人，其中，教授(研究員)43人，包括中國工程院院士1人，國家千人計劃入選者5人，國家青年千人2人，國家杰出基金獲得者4人，長江學者特聘教授2人、IEEE Fellow 1人。在實驗室現(xiàn)有固定人員中，有多名國家和部委聘任的科技專家，包括1名國家“核心電子器件、高端通用芯片及基礎軟件產品”科技重大專項專家，2名國家“極大規(guī)模集成電路裝備和成套工藝”科技重大專項專家，4名科技術“863”計劃專家?guī)鞂＜?。按?ldquo;創(chuàng)新團隊+優(yōu)秀研究小組”的建設思路，打造了實驗室年輕化、團隊化、國際化的研究隊伍。
實驗室擁有器件與工藝子平臺環(huán)境和集成電路設計環(huán)境。器件與工藝子平臺現(xiàn)有千級凈化面積約600平方米，百級凈化面積100平方米，配備了價值近1億元的設備，具有開展先進納米CMOS器件和工藝的研發(fā)能力。集成電路設計環(huán)境已可提供Cadence、Mentor Graphics、Synopsys、Altera、Xilinx等著名國際公司軟件環(huán)境，提供相應的標準化仿真模型，支持教學、科研、產品設計與制造。實驗室平臺本著“集中、共享、升級、開放”的原則為實驗室的科學研究服務。
實驗室積極開展多渠道學術交流，承辦ICSICT、ASICON等多個重要國際會議，參加學術會議并做特邀報告，積極開展國際科技合作和交流。依托“重點實驗室高級訪問學者基金”和設立開放課題，吸引國內外高水平研究人員來實驗室開展合作研究，加強了實驗室研究的前瞻性和國際化程度。
專用集成電路與系統(tǒng)國家重點實驗室儀器配置 |
| 熱阻蒸發(fā)鍍膜設備 |
| 化學氣相沉積系統(tǒng) |
| 全自動探針臺 |
| 存儲器參數測試系統(tǒng) |
| 半導體存儲器參數測試儀 |
| 掃描探針顯微鏡 |
| 手動探針臺 |
| 電學測試系統(tǒng) |
| 臺階分析儀 |
| 芯片測試系統(tǒng) |
| 柔性四件組裝加工手套箱 |
| 大面積柔性三維光刻 |
| 柔性電子制造設備 |
| 亞微米級貼片設備 |
| 無線和微波頻段測試系統(tǒng) |
| 激光鍵合設備 |
| 臺式掃描式電子顯微鏡 |
| 柔性四件電化學加工測試平臺 |
| 高性能頻譜分析儀 |
| 高性能頻譜分析儀 |
| 等離子刻蝕系統(tǒng) |
| 實驗室電路板快速系統(tǒng)（激光機） |
| 射頻探針臺 |
| 原位納米力學測試系統(tǒng) |
| 超低溫手動探針臺 |
| 智能型傅立葉紅外光譜分析儀 |
| 顯微喇曼/熒光光譜儀 |
| 數字電視芯片測試系統(tǒng) |
| 氣相沉積系統(tǒng) |
| 薄膜沉積系統(tǒng) |
| 化學氣相沉積系統(tǒng) |
| 超高真空激光分子束系統(tǒng) |
| 原子層淀積系統(tǒng) |
| 矢量網絡分析儀 |
| 微波退火設備 |
| 準分子氣體激光器 |
| 高精密電學測試探針臺 |
| 納米熱分析系統(tǒng) |
| 信號源分析儀 |
| 頻譜分析儀 |
| X射線衍射儀 |
| 矢量網絡分析儀 |
| 矢量信號源 |
| 實時示波器 |
| 橢圓偏振光譜儀 |
| 硬件加速仿真驗證儀 |
| 頻譜分析儀 |
| 矢量信號發(fā)生器 |
| 矢量信號分析儀 |
| 銅互連超薄籽晶層集成濺射和測試系統(tǒng) |
| 半導體晶片探針臺 |
| 互連銅導線成分分析儀 |
| 化學氣相沉積系統(tǒng) |
| 低介電常數介質電容（K值）測試設備 |
| 微細加工ICP刻蝕機 |
| 快速熱退火系統(tǒng) |
| 探針測試臺 |
| 半導體參數分析儀 |
| 白光干涉儀 |
| 桌上型化學機械拋光設備 |
| 納米壓印設備 |
| 原子層淀積系統(tǒng) |
| 高精度探針臺 |
| 探針測試臺 |
| 納米器件濺射儀 |
| 存儲薄膜濺射儀 |
| 原子層化學氣相沉淀系 |
| 等離子反應離子刻蝕機 |
| 物理氣相淀積系統(tǒng) |
| 等離子體增強介質薄膜 |
| 化學機械拋光系統(tǒng) |
| 銅電鍍系統(tǒng) |
集成光電子學國家重點實驗室
集成光電子學國家重點實驗室成立于1987年，1991年正式對外開放。現(xiàn)由吉林大學和中國科學院半導體研究所兩個實驗區(qū)聯(lián)合組成。在1994年、2004年國家重點實驗室建立十周年以及二十周年總結表彰大會上，被評為“國家重點實驗室先進集體“，并獲“金牛獎”。在2002年、2007年、2012年信息領域國家重點實驗室評估中，連續(xù)三次被評為“優(yōu)秀實驗室”，2017年被評為“良好實驗室”。
研究方向包括有機光電器件、寬禁帶半導體材料與器件、超快光電子、納米光電子、能源光電技術五個研究方向。實驗室重點研究基于半導體光電子材料、有機光電子材料、微納光電子材料的各種新型光電子器件以及光子集成器件和芯片，研究上述器件及芯片在光纖通信系統(tǒng)與網絡、信息處理與顯示中的應用技術。研究內容為：半導體光電子材料(包括低維量子結構材料)、有機光電子材料、微納光電子材料;新型光電子器件物理(包括器件結構設計與模擬);基于上述材料的光電子集成器件的制作工藝及其功能芯片集成技術;光電子器件及芯片在光通信、光互連、光顯示、光電傳感方面應用技術研究。
*集成光電子學國家重點實驗室儀器配置情況未公布
浙江大學硅材料國家重點實驗室
1985年，在浙江大學半導體材料研究所的基礎上，由原國家計委批準建設硅材料國家重點實驗室(原名高純硅及硅烷國家重點實驗室)，88年正式對外開放。是國內最早建立的國家重點實驗室之一。以重點實驗室為依托的浙江大學材料物理與化學學科(原半導體材料學科)一直是全國重點學科，1978年獲批國內首批碩士點(半導體材料)，1985年獲批國內第一個半導體材料工學博士點。
從上世紀50年代開始，浙江大學在硅烷法制備多晶硅提純技術、摻氮直拉硅單晶生長技術基礎研究等取得系列重大成果，在國際上占有獨特的地位;同時，實驗室一直堅持“產、學、研”緊密結合，培育出浙江金瑞泓科技股份有限公司等國內硅材料的龍頭企業(yè)，取得顯著經濟效益。自上世紀90年代以來，實驗室研究方向不斷拓寬。目前，實驗室以硅為核心的半導體材料為重點，包括半導體硅材料、半導體薄膜材料、復合半導體材料以及微納結構與材料物理等研究方向。
2013年至2017年期間，實驗室共獲得國家自然科學二等獎2項，國家技術發(fā)明二等獎2項
，浙江省科學技術(發(fā)明)一等獎5項，技術發(fā)明一等獎1項。江西、湖北省科學技術進步(技術發(fā)明)一等獎各1項(合作)，教育部自然科學二等獎1項，浙江省科學技術進步二等獎2項。發(fā)表SCI檢索論文1996篇，獲得授權國家發(fā)明專利492項，國際專利5項。已成為國家在本領域的科學研究、人才培養(yǎng)和國際交流的主要基地之一。
浙江大學硅材料國家重點實驗室儀器配置清單 |
| 掃描探針顯微鏡 |
| 周期式脈沖電場激活燒結系統(tǒng) |
| 振動樣品磁強計 |
| 針尖增強半導體材料光譜測試系統(tǒng) |
| 低維硅材料的原位掃描隧道顯微分析系統(tǒng) |
| 熱常數分析儀 |
| 超高溫井式冷壁氣密罐式爐系統(tǒng) |
| 角分辨X射線光電子能譜儀 |
| 原子力顯微鏡 |
| 熱臺偏光顯微系統(tǒng) |
| 近場光學顯微鏡 |
| 光度式橢圓偏振光譜儀 |
| 高真空熱壓燒結爐 |
| 等離子體增強化學氣相沉積法 |
| 磁控濺射鍍膜系統(tǒng) |
| 深能級瞬態(tài)譜儀 |
| 傅里葉紅外光譜儀 |
| 微波光電導衰減壽命測試儀 |
| 變溫高磁場測試系統(tǒng) |
| 同步熱分析儀 |
| 鑄造爐 |
| 掃描電子顯微鏡 |
| 高分辨透射電子顯微鏡 |
除了上述國家重點實驗室，還有新型功率半導體國家實驗室以及光伏技術國家重點實驗室等企業(yè)國家重點實驗室。
此外，還有中科院半導體材料科學重點實驗室、寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室、光電材料與技術國家重點實驗室、發(fā)光材料與器件國家重點實驗室、發(fā)光學及應用國家重點實驗室等半導體領域相關的實驗室等。
中國科學院半導體材料科學重點實驗室儀器配置 |
| 1. 量子點、量子級聯(lián)工藝線 |
| 分子束外延生長系統(tǒng)（MBE） |
| 掩膜對準曝光機 |
| 表面輪廓測量系統(tǒng) |
| 雙腔室PECVD/電子束蒸發(fā)鍍膜 |
| 真空蒸發(fā)臺 |
| 等離子體去膠機 |
| 精密研磨拋光系統(tǒng) |
| 快速熱處理設備 |
| 高分辨光學顯微鏡 |
| 清潔處理濕法腐蝕 |
| 金絲球焊機 |
| 高精度粘片機 |
| 傅立葉變換遠紅外光譜儀 |
| 拉曼光譜儀 |
| 原子力顯微鏡 |
| 數字源表（吉時利2601） |
| 電化學CV測試系統(tǒng) |
| 2. PIC 工藝線 |
| 儀器設備 |
| MOCVD |
| ICP |
| PECVD |
| 光刻機 |
| 蒸發(fā)臺 |
| 磁控濺射 |
| 反應離子刻蝕設備 |
| 臺式掃描電子顯微鏡 |
| Maping |
| 微區(qū)熒光光譜儀 |
| X射線雙晶衍射 |
| 高分辨XRD測試系統(tǒng) |
| 解理 |
| 燒結機 |
| 鍍銦 |
| 管芯測試設備 |
| 激光加工機 |
| PIC測試: |
| 探針座+探針 |
| 變溫測試 |
| 頻譜儀 |
| 矢量網絡分析測試 |
| 自相關儀脈沖寬度測試 |
| FROG |
| 激光線寬測試 |
| Rin測試 |
| 遠場測試 |
| PIV測試 |
| 傳輸損耗測量 |
| 光纖光譜儀 |
| 3.GaN基微電子器件工藝線 |
| MOCVD設備 |
| 變溫霍爾測試系統(tǒng) |
| 非接觸方塊電阻測試系統(tǒng) |
| 臺階儀 |
| 表面平整度測試系統(tǒng) |
| 光學顯微鏡 |
| 高分辨XRD測試系統(tǒng) |
| 光電效率測試系統(tǒng) |
| 高溫恒溫箱 |
| 快速退火爐 |
| 磁控濺射 |
| PECVD |
| ICP |
| 光刻系統(tǒng) |
| 4. 材料生長與制備工藝線 |
| 磁控濺射 |
| 離子束濺射 |
| CVD系統(tǒng) |
| 旋涂機、熱板、快速退火 |
| 碳化硅外延設備 |
| 原子層沉積 |
| 分子束外延 |
| 低壓液氮灌裝 |
| 石墨烯外延爐 |
| 分子束外延設備CBE |
| 快速熱退火爐 |
| 退火爐 |
| MOCVD |
| HVPE |
| 快速退火爐 |
| 真空烘烤 |
| MBE |
| MP-CVD |
| 阻蒸電子束蒸發(fā)聯(lián)合鍍膜機 |
| 箱式退火爐 |
| 低維材料生長、器件制備平臺 |
| 分子束外延設備MBE |
| 5. 材料測試與表征 |
| 原子力顯微鏡 |
| 傅里葉紅外光譜 |
| 量子效率測試 |
| 電池I-V測試 |
| 霍爾測試儀 |
| 探針臺 |
| 四探針測試儀 |
| 光柵光譜儀 |
| 變溫測試臺 |
| 半導體參數測試儀3000V、500A |
| 深能級缺陷測量系統(tǒng) |
| 霍爾測試 |
| 深紫外光致發(fā)光光譜 |
| 陰極熒光光譜 |
| 近紫外－可見－近紅外光致發(fā)光光譜 |
| 變溫霍爾 |
| 半導體發(fā)光器件測試 |
| 紫外可見分光光度計 |
| 熒光光譜儀 |
| 太陽能電池I-V測試系統(tǒng) |
| 電化學工作站 |
| 四探針測試臺 |
| 偏振調制光譜測試系統(tǒng)(陳涌海) |
| 微區(qū)RDS測試系統(tǒng) |
| 光電流測試系統(tǒng) |
| 紅外光柵光譜儀（0.8-5μm） |
| 激光參數測試系統(tǒng) |
| 傅立葉變換紅外光譜儀 |
| 傅立葉變換中紅外光譜儀 |
寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室儀器配置 |
| 晶片生長系統(tǒng)MOCVD |
| 非接觸遷移率測量系統(tǒng) |
| 霍爾效應測試系統(tǒng) |
| 非接觸式方塊電阻測試儀 |
| 微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng) |
| 半導體器件分析儀 |
| 光譜橢偏儀 |
| 鏡像顯微鏡. |
| 金屬鍍膜系統(tǒng) |
| 高分辨X射線衍射儀 |
| 拉曼光譜儀 |
| 脈沖激光沉淀系統(tǒng) |
| 電子束蒸發(fā)臺 |
| 磁控濺射鍍膜機 |
| 高速電子束蒸發(fā)臺 |
| LED顯微鏡 |
| 臺階儀 |
| 快速熱退火爐 |
| 等離子去膠機 |
| 高溫快速退火爐 |
| 反應離子刻蝕 |
| 等離子增強原子層沉淀系統(tǒng) |
| 等離子增強化學氣相淀積 |
| 感應耦合等離子體刻蝕機 |
| 研磨拋光機 |
| 高低溫烘膠機 |
| 光刻機 |
| 接觸式紫外光刻機 |
| 電子束直寫光刻機 |
| 探針臺 |
| 半導體參數測試儀 |
| 微波測試探針臺 |
| DRTS測試儀 |
| 掃描式電子顯微鏡 |
| 微波大功率晶體管老化系統(tǒng) |
| 微波功率測試系統(tǒng) |
| 分子束外延設備 |
綜合來看，光刻機、化學氣相沉積設備、電鏡（尤其是掃描電鏡和原子力顯微鏡）、X射線衍射、磁控濺射儀、半導體參數測試儀、能譜儀、探針測試臺、刻蝕設備、光譜測試設備、蒸發(fā)鍍膜設備、橢偏儀、分子束外延設備等儀器配置頻率較高。
如果您對以上產品有興趣，歡迎致電長沙艾克賽普儀器設備有限公司：0731-84284278，我們的工程師將為你提供最佳的測試方案。Accexp是一家專注于儀器工控設備、測試方案系統(tǒng)集成的科技企業(yè)。作為專業(yè)的儀器儀表公司及測控集成ATE提供商，多年來堅持自主研發(fā)創(chuàng)新，結合引進代理各大知名品牌的優(yōu)質儀器設備，致力于提供更科學智能的軟硬件測試方案。
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