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高亮度LED生產(chǎn)環(huán)節(jié)的全方位測(cè)試
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簡(jiǎn)介：高亮度LED生產(chǎn)環(huán)節(jié)的全方位測(cè)試 1 正向電壓測(cè)試 要理解新的結(jié)構(gòu)單元材料，如石墨烯、碳納米管、硅納米線或者量子點(diǎn)，在未來的電子器件中是如何發(fā)揮其功效的，就必須采用那些能在很寬范圍上測(cè)量電阻、電阻率、遷移率和電導(dǎo)率的計(jì)測(cè)手段。這常常需要對(duì)極...
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高亮度LED生產(chǎn)環(huán)節(jié)的全方位測(cè)試
1 正向電壓測(cè)試
要理解新的結(jié)構(gòu)單元材料，如石墨烯、碳納米管、硅納米線或者量子點(diǎn)，在未來的電子器件中是如何發(fā)揮其功效的，就必須采用那些能在很寬范圍上測(cè)量電阻、電阻率、遷移率和電導(dǎo)率的計(jì)測(cè)手段。這常常需要對(duì)極低的電流和電壓進(jìn)行測(cè)量。對(duì)于那些力圖開發(fā)這些下一代材料并使之商業(yè)化的工程師而言，在納米尺度上進(jìn)行精確的、可重復(fù)的測(cè)量的能力顯得極為重要。
2 漏電流測(cè)試
當(dāng)施加一個(gè)低于擊穿電壓的反向電壓時(shí)，對(duì)HBLED兩端的漏電流（IL）的測(cè)量一般使用中等的電壓值。在生產(chǎn)測(cè)試中，常見的做法是僅確保漏電流不不至于超過一個(gè)特定的閾值。
3 提升HBLED的生產(chǎn)測(cè)試的吞吐率
過去，HBLED的生產(chǎn)測(cè)試的所有環(huán)節(jié)都由單臺(tái)PC來控制。換而言之，在測(cè)試程序的每個(gè)要素中，必須針對(duì)每次測(cè)試配置信號(hào)源和測(cè)量裝置，并在執(zhí)行預(yù)期的行動(dòng)后，將書記返回給PC?？刂芇C根據(jù)通過/不通過的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評(píng)估，并決定DUT應(yīng)歸入哪一類。PC發(fā)送指令和結(jié)果返回PC的過程將耗費(fèi)大量的時(shí)間。
最新一代的智能儀器，包括吉時(shí)利公司最新的大功率2651A系統(tǒng)信號(hào)源/測(cè)量?jī)x（SourceMeter），由于可以最大限度減少通信的流量，從而可以大幅度提升測(cè)試吞吐率。測(cè)試程序的主體嵌入到儀器中的一個(gè)Test 處理器（TSP）中，該處理器是一個(gè)用于控制測(cè)試步驟的測(cè)試程序引擎，內(nèi)置通過/不通過標(biāo)準(zhǔn)、計(jì)算和數(shù)字I/O的控制。一個(gè)TSP可以將用戶定義的測(cè)試程序存放到存儲(chǔ)器中，并根據(jù)用戶需要來執(zhí)行該程序，從而減少了測(cè)試程序中每個(gè)步驟的建立和配置時(shí)間。
4 單器件的LED測(cè)試系統(tǒng)
測(cè)試程序可以被編程設(shè)定為，在一根來自于元器件操控器的數(shù)字信號(hào)線作為“測(cè)試啟動(dòng)”（SOT）控制下啟動(dòng)。當(dāng)儀器探測(cè)到該信號(hào)時(shí)，測(cè)試程序啟動(dòng)。一旦執(zhí)行完畢，則讓元器件操縱器的一條數(shù)字信號(hào)線發(fā)出“測(cè)試完畢”的標(biāo)志。此外，儀器的內(nèi)建智能可以執(zhí)行所有的通過/不通過操縱并通過儀器的數(shù)字I/O端口發(fā)送數(shù)字指令至元器件操縱器，以便讓HBLED能根據(jù)通過/不通過標(biāo)準(zhǔn)來對(duì)HBLED進(jìn)行分類。于是可以通過編程讓兩個(gè)動(dòng)作同時(shí)執(zhí)行：數(shù)據(jù)傳送至PC進(jìn)行統(tǒng)計(jì)處理，而同時(shí)一個(gè)新的DUT運(yùn)送到測(cè)試夾具上。
5 光學(xué)測(cè)試
光學(xué)測(cè)量中也需要使用正向電流偏置，因?yàn)殡娏髋cHBLED的發(fā)光量密切相關(guān)?？梢杂霉怆姸O管或者積分球來捕捉發(fā)射的光子，從而可以測(cè)量光功率。可以將發(fā)光變換為一個(gè)電流，并用電流計(jì)或者一個(gè)信號(hào)源－測(cè)量單元的單個(gè)通道來測(cè)量該電流。
6 反向擊穿電壓測(cè)試
對(duì)HBLED施加的反向偏置電流可以實(shí)現(xiàn)反向擊穿電壓（VR）的測(cè)試。該測(cè)試電流的設(shè)置應(yīng)當(dāng)使所測(cè)得的電壓值不再隨著電流的輕微增加而顯著上升。在更高的電壓下，反向偏置電流的大幅增加所造成的反向電壓的變化并不顯著。VR的測(cè)試方法是，在一段特定時(shí)間內(nèi)輸出低反向偏置電流，然后測(cè)量HBLED兩端的電壓降。其結(jié)果一般為數(shù)十伏特。
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