牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 80 ICP
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簡介：牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 80 ICP 是一種結構緊湊、小型且使用方便的直開式系統(tǒng)，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質(zhì)量。直開式設計允許快速的進行晶圓裝卸，是科學研究、原型設計和少量生產(chǎn)...
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- 產(chǎn)品介紹
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 80 ICP是一種結構緊湊、小型且使用方便的直開式系統(tǒng)，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質(zhì)量。直開式設計允許快速的進行晶圓裝卸，是科學研究、原型設計和少量生產(chǎn)的理想選擇。 該設備通過優(yōu)化了的電極冷卻技術和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高度穩(wěn)定的工藝結果。
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直開式設計允許快速裝卸晶圓
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出色的刻蝕深度和刻蝕速率控制
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出色的晶圓溫度均勻性
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晶圓最大可達200mm
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購置成本低
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符合半導體行業(yè) S2 / S8標準
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 80 ICP應用
- III-V族材料刻蝕工藝
- 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
- 二氧化硅和石英刻蝕
- 用于失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圓
- 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模的沉積和刻蝕
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 80 ICP特點
- 小型系統(tǒng) —— 易于安置
- 優(yōu)化的電極冷卻系統(tǒng) —— 襯底溫度控制
- 高導通的徑向（軸對稱）抽氣結構 —— 確保能提升工藝均勻性和速率
- 增加<500毫秒的數(shù)據(jù)記錄功能 —— 可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄
- 近距離耦合渦輪泵 —— 抽速高迅速達到所要求的低真空度
- 關鍵部件容易觸及 ——系統(tǒng)維護變得直接簡單
- X20控制系統(tǒng)——大幅提高了數(shù)據(jù)信息處理能力， 并且可以實現(xiàn)更快更可重復的匹配
- 通過前端軟件進行設備故障診斷 —— 故障診斷速度快
- 用干涉法進行激光終點監(jiān)測 —— 在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法來確定非透明材料 (如金屬) 的邊界
- 用發(fā)射光譜（OES）實現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點監(jiān)測 —— 監(jiān)測刻蝕副產(chǎn)物或反應氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點監(jiān)測
ICP刻蝕是一種被廣泛使用的技術，可提供高速率、高選擇比以及低損傷的刻蝕。等離子體能夠在低氣壓下保持穩(wěn)定，因此能夠更好地控制刻蝕形貌。 Cobra® ICP刻蝕源在低氣壓下仍可產(chǎn)生高密度的反應粒子。襯底上的直流偏壓由一個射頻發(fā)生器獨立控制, 因此可根據(jù)工藝要求控制離子能量。
電感耦合等離子體刻蝕要點
- 高刻蝕速率
- 出色的均勻性
- 低氣壓下高密度的反應粒子
- 精準的襯底直流偏壓控制
- 精準的離子能量控制
- 更寬的電極溫度范圍 -150ºC至+400ºC
電感耦合等離子體刻蝕特點及優(yōu)勢
- 高刻蝕速率可由高離子密度（> 1011 /cm3）和高自由基密度來實現(xiàn)
- 能夠利用低離子能量實現(xiàn)對選擇比和損傷的控制
- 獨立的射頻和電感耦合等離子體發(fā)生器分別提供了對離子能量和離子密度的獨立控制, 從而實現(xiàn)了高度的工藝靈活性
- 在低氣壓工藝下同時仍具有高離子密度，這樣可以改善對外形的控制
- 化學和離子誘導刻蝕
- 也可以在RIE模式下運行，以滿足某些慢速刻蝕的需要
- 可用于ICP－CVD模式的沉積
- 高導通的泵送端口可提供高氣體流量，以實現(xiàn)快速的刻蝕速率
- 靜電屏蔽消除了電容耦合，減少了對器件的電學損傷，以及在腔室內(nèi)減少了雜質(zhì)顆粒的形成
- 標準化的晶圓壓盤與氦冷卻，提供了出色的溫度控制，同時可以選擇更寬的溫度范圍
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