牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD
名稱：其他儀器與工具
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簡介：牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝性能。直開式設計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸，是科學研究、原型設計和小批量生產(chǎn)的理想選擇...
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- 產(chǎn)品介紹
牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝性能。直開式設計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸，是科學研究、原型設計和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高性能工藝。
牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD特征
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直開式設計允許快速裝卸晶圓
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出色的刻蝕控制和速率測定
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出色的晶圓溫度均勻性
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晶圓最大可達200mm
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購置成本低
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符合半導體行業(yè) S2 / S8標準
牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD應用
- III-V族刻蝕工藝
- 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
- 類金剛石
- 類金剛石（DLC）沉積
- 二氧化硅和石英刻蝕
- 用特殊配置的PlasmaPro FA設備進行失效分析的干法刻蝕解剖逆工藝，可處理封裝好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圓
- 高質量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學、電介質層、鈍化以及諸多其它用途
- 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕
牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD特點
- 小型系統(tǒng)——易于安置
- 優(yōu)化了的電極冷卻——襯底溫度控制
- 高導通的徑向（軸對稱）抽氣結構—— 確保提升了工藝均勻性和速率
- 增加<500毫秒的數(shù)據(jù)記錄功能——可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄
- 近距離耦合渦輪泵——提供優(yōu)越的泵送速度加快氣體的流動速度
- 關鍵部件容易觸及——系統(tǒng)維護變得直接簡單
- X20控制系統(tǒng)——大幅提高了數(shù)據(jù)信息恢復功能， 同時可以實現(xiàn)更快更可重復的匹配
- 通過前端軟件進行設備故障診斷——故障診斷速度快
- 用干涉法進行激光終點監(jiān)測——在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法來確定非透明材料 (如金屬) 的邊界
- 用發(fā)射光譜（OES）實現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點監(jiān)測—— 監(jiān)測刻蝕副產(chǎn)物或反應氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點監(jiān)測
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